გრაფიტის თექა

გრაფიტის თექი იყოფა მოედანზე დაფუძნებულ გრაფიტის თექად, პოლიაკრილონიტრილზე დაფუძნებულ (PAN- ზე დაფუძნებულ) გრაფიტის თექად და ვიზოზოზე დაფუძნებულ გრაფიტის თექად ორიგინალური თექების განსხვავებული შერჩევის გამო. ძირითადი მიზანია გამოყენებულ იქნას როგორც სითბოს შემანარჩუნებელი და სითბოს საიზოლაციო მასალები მონოკრისტალური სილიციუმის დნობის ღუმელებისათვის. ქიმიურ მრეწველობაში ის შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ფილტრაციის მასალა მაღალი სისუფთავის კოროზიული ქიმიური რეაგენტებისათვის.

ნახშირბადის თექა გრაფიტით იგრძნობა ვაკუუმის ან ინერტული ატმოსფეროში მაღალ ტემპერატურაზე 2000 ℃ ზე მეტი დამუშავების შემდეგ. ნახშირბადის შემცველობა უფრო მაღალია, ვიდრე ნახშირბადის იგრძნობა, და მიაღწია 99% -ზე მეტს. 1960-იანი წლების ბოლოს გრაფიტის თექა უკვე ხელმისაწვდომი იყო მსოფლიოში. გრაფიტის თექი იყოფა მოედანზე დაფუძნებულ, პოლიაკრილონიტრილზე დაფუძნებულ გრაფიტის თექად და ვიზოზოზე დაფუძნებულ გრაფიტის თექად ორიგინალური თექის განსხვავებული შერჩევის გამო.

მათ შორის, იაპონიის Kureha Chemical– ს მიერ წარმოდგენილ ასფალტს წარმოადგენს საიზოლაციო ინდუსტრიაში [2], ევროპული და ამერიკული საიზოლაციო თექები ძირითადად ადჰეზივებისგან არის დამზადებული, ჩინეთის უმეტესობა კი პოლიაკრილონიტრილს ნედლეულად იყენებს. პროცესი: დაჭერით პოლიაკრილონიტრილის ბაზაზე ნახშირბადის თექის ან ვიზოზის საფუძველზე ნახშირბადის თექის საჭირო ზომა, გადაახვიეთ იგი მილში და ჩადეთ გრაფიტის მასალისგან დამზადებულ ჭურჭელში და მოათავსეთ გრაფიტის კონტეინერი მაღალტემპერატურულ ღუმელში (მაღალი -ტემპერატურული ღუმელი არის გრაფიტის მილის ღუმელი, შუალედური სიხშირე, მაღალი სიხშირის ინდუქციური ღუმელი ან სხვა მაღალი ტემპერატურის ღუმელები გათბობის მეთოდით), დაცული ვაკუუმის ან მაღალი სისუფთავის ინერტული გაზით, გათბობით 2200-2500 ° C ტემპერატურაზე 100-300 ° C / სთ, ხოლო შემდეგ ბუნებრივად გაცივდა 100 ° C- მდე.

გრაფიტის თექა ძლიერია და აქვს ძლიერი ჟანგვის გამძლეობა, მაგრამ მას აქვს ცუდი მოქნილობა, დიდი მოცულობის სიმკვრივე და სითბოს შენარჩუნების კარგი მოქმედება. მაღალი სიწმინდის, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობის, კოროზიის წინააღმდეგობის და ბლოკი გრაფიტის არ დნობის მახასიათებლების გარდა, მათ აქვთ უპირატესობა ელასტიური, თვითნებურად დასაკეცი, ჭრა და კერვა გრაფიტის ძაფით. გრაფიტის თექის მთავარი დანიშნულებაა სითბოს შემანარჩუნებელი და სითბოს საიზოლაციო მასალა ერთკრისტალური სილიციუმის დნობის ღუმელში. ქიმიურ მრეწველობაში ის შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ფილტრაციის მასალა მაღალი სისუფთავის კოროზიული ქიმიური რეაგენტებისათვის. გრაფიტის თექის გამოყენება შესაძლებელია დაახლოებით 3000 ° C ტემპერატურაზე არაჟანგვის ატმოსფეროში.